samsung v-nand memoria 4

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Tecnología

Llegan las nuevas memorias V-NAND de Samsung para móvil y SSD, con nada menos que 96 capas

Las primeras memorias V-NAND de Samsung de 96 capas ya están en producción, todo un salto respecto a las 64 capas de la generación anterior.

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Las nuevas memorias V-NAND de Samsung de 96 capas permiten conseguir chips de memoria más rápidos, de mayor capacidad y más eficientes.

El sector de los SSD y el almacenamiento interno está muy cerca de una revolución; los grandes contrincantes han presentado sus alternativas, y el mercado puede calentarse muy pronto.

Micron e Intel golpearon primero, con las primeras memorias NAND QLC; es decir, que cada celda tiene cuatro niveles de almacenamiento en vez de los tres habituales (TLC). Gracias a eso, se pueden almacenar más datos en el mismo espacio; y muchos esperamos un aumento significativo en el tamaño de los SSD.

Pero si hablamos de memoria NAND, tenemos que hablar de Samsung y su V-NAND; memoria con una arquitectura 3D que permite incluir celdas en varias capas. La referencia en el mercado no se ha quedado quieta ni mucho menos, pero está siguiendo un camino distinto; y hoy ha anunciado exactamente en qué consiste.

Las memorias V-NAND de Samsung de 96 capas entran en producción

La quinta generación de memoria V-NAND de Samsung pega un salto, desde las 64 capas actuales hasta las 96 capas; por lo tanto, estamos ante una memoria de una densidad mucho mayor, sin perjudicas otras características importantes como los costes o la fiabilidad.

samsung v-nand memoria 1

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En efecto, son 96 capas de celdas las que Samsung ha conseguido fabricar en masa; y de camino, ha implementado otras mejoras. Como Toggle DDR 4.0, una interfaz con un ancho de banda de 1,4 Gbps, en vez de los 800 Mbps de modelos anteriores. También se ha mejorado el consumo eléctrico pese al aumento de celdas y de ancho de banda, con el voltaje pasando de 1,8 V a 1,2 V.

samsung v-nand memoria 3

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Pero, ¿cómo consigues 96 capas de celdas en el mismo espacio en el que antes había 64? Según Samsung, la altura de cada celda de memoria se ha conseguido reducir en un 20%; un logro que no es pequeño, pero que ha sido ayudado por la mejora en el 30% en la productividad.

Tal vez eso es lo más importante de este anuncio de Samsung: estas memorias V-NAND ya están en producción masiva; no es un proyecto ni un prototipo. Y por eso, no deberíamos esperar mucho hasta verlas en algún producto; ya sean nuevos SSDs o como almacenamiento interno en smartphones.

Puede que Samsung siga apostando por TLC, pero desde luego por el momento no echamos de menos QLC.