Si sois asiduos a Omicrono seguramente ya habréis leído algo sobre la RRAM (Resistive RAM), un nuevo tipo de almacenamiento que guarda datos en forma de resistencias eléctricas en vez de en forma de carga como la RAM; es un método que abre las puertas a mas posibilidades, y por eso fabricantes como Samsung están dispuestos a tenerla en cuenta, pero que también tiene sus problemas.

La RRAM, el posible futuro del almacenamiento

Crossbar, el principal fabricante que está trabajando en la RRAM, parte de un planteamiento interesante, con una estructura tridimensional en forma de cubo formada por capas en vez de en una superficie plana tradicional. Aunque esta estructura permite almacenar mucha mas información en el mismo espacio, tantos circuitos juntos provocan fugas de corriente que aumentan el consumo eléctrico e incluso pueden volver la memoria inservible.

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Ahora se ha anunciado que Crossbar ha encontrado la solución a este problema que había puesto a la RRAM en la cuneta: se llama 1TnR (1 Transistor Driving n Resistive memory cell) que consiste en asociar bloques de 2.000 celdas de memoria con un transistor, que evita fugas. De esta manera se pueden conseguir unidades de mayor capacidad sin temer por su rendimiento ni su fiabilidad.

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Con la densidad de celdas conseguida, se podría conseguir almacenamiento SSD del tamaño de un sello postal, lo que abriría la puerta a conseguir mas capacidad de almacenamiento en todo tipo de dispositivos, como por ejemplo SSDs de 1 TB en smartphones y ordenadores portátiles. Eso sí, lo mas probable es que hasta 2016 (2015 con suerte) no podamos ver en persona este tipo de almacenamiento.