Un grupo de investigadores de la Universidad Autónoma de Madrid (UAM) ha hallado nanomateriales semiconductores nuevos, como resultado de unas deformaciones mecánicas sobre las muestras bidimensionales del cristal Seleniuro de Galio (GaSe), que conllevan cambios en sus propiedades ópticas y electrónicas.

Los resultados, publicados en la revista internacional "Nanotechnology", son "potencialmente útiles" en aplicaciones fotovoltaicas, fotónicas y optoelectrónicas, informa la UAM en una nota.

El trabajo ha sido realizado por un grupo de investigadores experimentales y teóricos del departamento de Física de la Materia Condensada de la UAM.

Los autores han conseguido encontrar una forma para modificar las propiedades de materiales semiconductores de espesor nanométrico a partir de deformaciones mecánicas fuertemente localizadas a escala micrométrica, añade la UAM.

Los resultados, publicados en la revista Nanotechnology, confirman que el cristal 2D de GaSe es uno de los materiales que puede ser mayormente modificado por deformaciones elásticas, lo que le confiere "gran relevancia" en el campo de la optoelectrónica.

El primer autor del trabajo, David Maeso, detalla que, gracias a la técnica aplicada, consiguieron aplicar una elevada tensión periódica sobre el cristal, lo que produce deformaciones elásticas de compresión y de tracción; además de una variación de sus propiedades ópticas, en particular de su coeficiente de absorción.

Los investigadores añaden que el cambio en el coeficiente de absorción observado es el más grande que se ha presentado en la literatura hasta la fecha en cristales 2D semiconductores.